上海华虹NEC电子有限公司技术总监朱东园

 
    华虹NEC专注于嵌入式非挥发性存储器、模拟/电源管理IC、高压、射频以及功率器件等五大特色工艺平台。华虹NEC的0.13微米SONOS嵌入式存储器工艺技术填补了国内嵌入式非挥发性存储器研究与应用领域空白。
    华虹NEC始终密切关注着嵌入式非挥发存储器领域的市场和技术发展态势，顺应其发展方向，进行技术创新升级，从0.35微米的EEPROM工艺发展到现在的0.13微米SONOS嵌入式闪存工艺。
    在第四届(2009年度)中国半导体创新产品和技术评选中，华虹NEC的“0.13微米SONOS嵌入式存储器工艺技术”被评为该年度创新技术。华虹NEC的0.13微米SONOS嵌入式存储器工艺技术具有低动态电流、极低静态电流、存储单元小、容量可配置、读出速度快等优良性能，其可靠性达到业内领先的100万次擦写寿命和30年数据保持时间。
    绝大部分的嵌入式存储器平台只能单独提供eFlash或者eEEPROM，而华虹NEC的0.13微米SONOS嵌入式存储器工艺技术可以集成Flash和EEPROM在同一产品平台，解决成本和可靠性的矛盾，使客户产品设计更加灵活。EF130工艺技术工作电压范围较传统工艺大幅拓宽，完全支持智能卡A类、B类和C类的电气性能要求，同时具有相当于同类工艺约10%的静态功耗。EF130工艺所需的掩模层少，而且存储单元面积小，大大降低了智能卡、MCU和SoC等产品的生产成本，具有业界极具竞争力的性价比。
    华虹NEC的0.13微米SONOS非挥发存储器IP核达到业界最领先的100万次擦写寿命和30年的保存时间，大大优于传统的浮栅技术，可以完全满足各类智能卡SoC、安全芯片、高端工控芯片等所有的产品需求，针对汽车电子，可以达到超出竞争对手的IP寿命。由于SONOSFlashIP的操作采用正、负压的方式，因此工艺中无需引入高压器件就达到了FlashIP擦写的操作要求，这样不仅仅提高了FlashIP的操作便利性，也从另一方面简化了工艺。
    在eFlash/eEEPROM和模拟IP设计中，广泛应用了面向测试的设计方法，有效缩短测试时间，提高测试覆盖率，从而降低测试成本，提高良率。还广泛采用了面向生产的设计方法，准确把握工艺偏差，有效提升良率。
    华虹NEC在0.13微米SONOSeNVM工艺上创新性地专门开发了完整的智能卡设计架构和测试解决方案。该方案为智能卡产品开发了高性能的模拟IP、高速静态随机存储器、超低功耗的数字单元库以及高ESD保护能力的IO接口；同时还开发了针对不同类型产品、不同功能和性能要求的量产测试平台，结合自主研发的64、128、256同测技术，有效降低芯片的平均测试时间，测试解决方案达到国际一流的水平。